New Device Memristor

米国HP社が新しい素子、memristorを開発しました。
memory(メモリー)と resistor (抵抗)の新造語です。
これが、最初のHPからリリースされたニュースで。
http://www.hpl.hp.com/news/2008/apr-jun/memristor.html

情報交換、及び新しいロジックの開発にチャレンジしませんか。
当面、最新情報の推移をフォローしたいと思います。

最新ニュースなど:

メモリスターに関するwikiの更新情報。
Polymeric memristor:
In July 2008 Victor Erokhin and Marco P. Fontana in Electrochemically controlled polymeric device: a memristor (and more) found two years ago[21] claim to have developed a polymeric memristor before the titanium dioxide memristor more recently announced.

http://eprintweb.org/S/article/cond-mat/0807.0333

2008年7月に、実は2年前にVictor Erokhin氏とMarco P. Fontana氏が
電気化学的なポリマー(高分子)で、酸化チタンよりも前に開発していたことを
主張しています。

最新のHPのブログです。5月10日
アメリカのNational Public Radio,ラジオ放送で紹介されたそうです。
http://h20325.www2.hp.com/blogs/labsblog/archive/2008/05/10/6335.html
音声はpodcastです。
http://podcastdownload.npr.org/anon.npr-podcasts/podcast/510221/90333726/npr_90333726.mp3

開発概要:
理論的にはカリフォルニア大学バークレー校のLeon Chua氏が1971年書いた数学方程式の中で説明されたものであった。
Chua, Leon O (September 1971), “Memristor—The Missing Circuit Element”, IEEE Transactions on Circuit Theory CT-18 (5): 507-519,
http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1083337

電気回路で、これまでの3つのコンデンサー、抵抗器、インダクター(誘導子)という基本性能に、4番目のmemristorという要素を考えたもの。
http://wiredvision.jp/news/200805/2008050123.html

原理デバイス動作例:
酸化チタンを微細加工すると、接している配線に流れる電流が
発生する磁界(magnetic flux)の大小にに依存して、その抵抗値が
変化するという。磁界はベクトルであるので、電流の流れる方向に
よって、抵抗値が増減することになる。これが基本原理。
0, 1でないロジックで演算、記憶回路が組めそうだということになる。
電源をきった状態の抵抗値をパッシブに維持していることが驚きである。

試作例は低抵抗酸素欠損チタニアと高抵抗チタニアの2層として、印加電界によりイオンが移動するイオン伝導なので、またスイッチング速度が遅いという。

材料科学:
酸化チタンに不純物を加えると高抵抗性能から導電性へと変化する。
この材料科学を実デバイス例として、示されている。
ある種の不純物が周囲の電磁界強度で移動するので、抵抗値が変動する。
HP研究所は酸化チタン以外の材料開発も検討している。

http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2007/03/20070301_no1_ecf4.html
このサイトでは、酸化チタンの基本特性が紹介されています。
酸化状態によって多様です。

* 久しぶりに成果のニュースが出ています。

HPとハイニクスと協業で2013年までに実用化しよという計画がキャンセルされ、2015-16年ごろへずれ込みそうです。

http://www.xbitlabs.com/news/storage/display/20120927125227_HP_and_Hynix_Cancel_Plans_to_Commercialize_Memristor_Based_Memory_in_2013.html

 

● 2010年8月31日
ハイニクスと共同で市場投入を目指す。
フラッシュメモリーの代替を狙う不揮発性Resistive Random Access Memory (ReRAM).
http://www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/2010/100831c.html

その他雑談:
われわれはすっかり1,0のデジタルロジックに慣れて来てしまっているので、いまさらアナログ的だとか、多値ロジックをやるとはと、億劫にならず、新しいロジックを創造し、どんなわくわくするシステムやデバイス群が可能か挑戦したいですね。

(引用情報源など)
wiki:
http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor

Nature(ネイチャー)の抜粋記事です。
http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/pdf/nature06932.pdf

IEEEの記事
http://www.spectrum.ieee.org/may08/6207

http://wiredvision.jp/news/200805/2008050123.html
これだけが、日本語によるニュース記事です。

http://blog.wired.com/gadgets/2008/04/scientists-prov.html
上記の英語の掲示板では、早々、素晴しいと多くの書きこみ、意見があります。

http://h20325.www2.hp.com/blogs/labsblog/archive/2008/05/06/6322.html
HPのJamie Beckettさんがブログで何か質問があればお答えしますとあります。このブログは閉鎖されました。

2 Replies to “New Device Memristor”

  1. 脳が12ワットで動作しているのもアナログ処理に長けているからかもしれませんね
    人間の心などにも肉薄できるようになる可能性があると思いました
    そのことがいいのか悪いのかは分かりませんが

    それにしても、Googleランキングの影響か分かりませんが書き方のスタイルが随分変わりましたね

  2. さぼ郎さん、そうですね。脳が一番の省エネコンピュータですね。
    現在、皆さんデジタル・デジタルと騒いでいますが、最近アナログ信号の
    処理を再認識するような動きもあります。
    高等関数の概算値を計算尺で計算できるのは、メモリを非線型に予め刻んでおき、真ん中の尺をサット移動させるだけで、一気に答えが得られる。これはアナログ式計算の威力だと思います。
    グーグルランキングはGreen Touchとう省エネ推進を強力にしている団体の件です。

コメントを残す